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【E1265】基于SPWM的大功率信號源設(shè)計

2021-09-22 09:33:21      索煒達電子      914     

項目編號:E1265

文件大小:260M

源碼說明:帶中文注釋

開發(fā)環(huán)境:C編譯器

簡要概述:

基于SPWM的大功率信號源設(shè)計

主電源:36V就好?還是48V?或者24V

1、電流檢測(閉環(huán))

器件選型:ACS712ELCTR-20A-T

IC供電電壓為5V

基準電壓輸出為2.5V

輸出電壓和電流成正比:-20A為0.5V;50A為4.5V

工作溫度范圍-10℃到125℃

當電流變化不大時,輸出端接一個差分放大器(LMV7235)

LMV7219、LMV321M5X、LMV611MFX

LMV358IDR

2、電源轉(zhuǎn)換(AC 轉(zhuǎn) DC 以及穩(wěn)壓)

1、整流二極管:

采用雙二極管,增大整流電流

全波整流,采用4個大功率的并聯(lián)的二極管

可以直接用整流橋器件

2、先經(jīng)過變壓器再整流?

3、其他注意事項:

功率部分和數(shù)字信號部分,共模電感隔離。

板載溫度檢測:

LM75AD溫度傳感器

電源接一個保險絲

4、器件選型:

肖特基二極管:ss510/5A/100V

超快恢復(fù)二極管:MUR410G

MOSFET場效應(yīng)管:

IRF540NSTR/100V/33A

IRF640NSTRLPBF TO-263-3 N溝道 220V/18A 貼片 MOSFET

(畫PCB的時候注意加散熱片)

Proteus仿真表明:

測試全用NMOS負載的端電壓不對,主電壓過高后,上半橋可能沒有全部打開

2020/07/14:

方案參數(shù)重新考慮,單純提高橋路主電壓,H橋上半橋并沒有一直處于導(dǎo)通狀態(tài),

輸出電壓被沒有按理想狀態(tài)一直上升,卡在(柵極電壓-最小GS電壓)上限值

初步擬定做電流閉環(huán)控制,降低輸出電壓的上限:

IRF540NSTR的GS_max為20,ID_max=33A,Vmax最好 <15V 

確定選型:

驅(qū)動IC:IR2104S VCC =16V

NMOSFET:IRLR7843 Vmain = 12V

驅(qū)動升壓:MC34063 到16V

隔離芯片:HCPL2630SD VCC = 5V

驅(qū)動芯片:IR2110STRPBF

IRS2186STRPBF 

5、接口

線圈輸出接口

參考學(xué)長的電源接口,HT508或HT396

HT508(15A)允許電流大一點(HT396最大8A)

【E1265】基于SPWM的大功率信號源設(shè)計

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