項目編號：E2053

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源碼說明：帶中文注釋

開發(fā)環(huán)境：C編譯器

簡要概述：

可控硅介紹

可控硅也稱晶閘管，具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點，一般用在大功率器件上，實現小功率控制大功率的作用。 具體工作原理不多做闡述，這里要實現控制雙向可控硅只需知道以下幾點。

• 可控硅在市電過零后即關斷。

• 對控制極施加電壓，使其電流達到觸發(fā)電流即可導通。

因此只需要在接收到過零信號后開始計時，達到自己期望的占空比后給一段時間的電壓即可導通。 注意：

• 可控硅電平不能一直施加，防止過零信號延遲帶來的可控硅一直導通，即已經過零，由于過零信號有延遲，如果在接收到過零信號才關斷輸出電壓的話，可能造成延時時間內施加的電壓已經使可控硅導通。

使用注意

文中使用pin_write(unsigned char port,unsigned char level)控制 GPIO 電平，具體實現未給出，用戶可根據使用的芯片更改代碼。

使用說明

• 將zero_detection()函數放入過零信號端口的外部中斷中。

• 將f_SCR_control_tick()函數放入 100us 的定時器中斷中（為了時間的準確，務必在中斷中處理）

• 在 SCR_Control.h 中設置

#define SCR_NUM     1          /// 可控硅數量#define SCR_HOLD_TICK   5      /// 可控硅使能電平持續(xù)時間#define SCR_LOWSTART_ENABLE    /// 可控硅緩啟動使能,無需該功能則注釋#define SCR_TRANSITION_ENABLE  /// 占空比改變時根據緩啟動的速度過度，需先開啟緩啟動

• 使用f_SCR_init(unsigned char id, unsigned char port, unsigned char openLevel)對可控硅進行初始化,其中 id 編號為 0 ~ (SCR_NUM-1), port為可控硅輸出端口，level 為可控硅輸出電平。

• 使用f_SCR_enable(unsigned char id, unsigned char enable)使能可控硅。

• 使用f_set_SCR_duty(unsigned char id, unsigned char duty)設置可控硅輸出占空比。默認占空比為 50% 。

• 如果使能了緩啟動，則可以使用void f_SCR_SetLowStartEnable(unsigned char id, unsigned char startDuty,unsigned char perDuty, unsigned char perCycle)函數進行緩啟動，startDuty 為起始占空比， perDuty 為每次增加的占空比， perCycle 為沒過多少個半周期增加一次占空比。然后使用f_SCR_SetLowStartDisable(unsigned char id)使能緩啟動。緩啟動結束標志為增加的占空比達到了設定的占空比。

配置選項

• SCR_NUM 可控硅個數，該個數必須準確，否則可能因為初始化數值的問題導致程序陷入死循環(huán)。

• SCR_HOLD_TICK 可控硅導通時間，單位100us，根據不同可控硅，該值不同，需確?？煽毓杩梢詫?，但又不會進入下一個過零周期。

• SCR_LOWSTART_ENABLE 該語句控制可控硅緩啟動，無需該功能則注釋，緩啟動參數可配置。

• SCR_TRANSITION_ENABLE 該語句控制占空比變換后是否需要過渡，該參數需要和緩啟動同時使用，過度參數與緩啟動參數相同。

• 緩啟動和過度主要目的防止占空比跳變造成電流過大損壞元器件。

目錄│文件列表:

 └ SCR

    │ SCR_Control.c

    └ SCR_Control.h